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J-GLOBAL ID：200903030435651129

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
山田 圭一

About 山田 圭一


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995333498
Publication number (International publication number)：1997181305
Application date： Dec. 21, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 LDD構造を有するMOSトランジスタにおいて、ドレインの拡散層抵抗を上昇させることなく、サイドウォール絶縁膜とシリコン基板との界面準位を低減し、ホットキャリア耐性を向上させる。【解決手段】 本発明は、サイドウォール絶縁膜とシリコン基板界面あるいは界面よりもサイドウォール絶縁膜側の浅く、かつゲート絶縁膜に近いある限定された特定の位置に窒素を注入することによって界面でのダングリングボンドを終端し、トラップされるホットエレクトロンを減少させるものである。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板上の一部に設けられた第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜上に設けられた電極と、この電極を挟んで両側に前記半導体基板上に設けられた第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜の下の半導体基板内に設けられた第1のソースおよびドレイン領域と、この第1のソースおよびドレイン領域に隣接する半導体基板内に設けられた第2のソースおよびドレイン領域とを備え、前記第2の絶縁膜および前記第1のドレイン領域に窒素が添加され、かつ前記第2の絶縁膜から前記半導体基板に向かう深さ方向における前記窒素の濃度ピークが、前記第2の絶縁膜と半導体との界面または界面近傍より浅い位置に存在することを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265
FI (5)：
H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/265 J ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (17)
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