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J-GLOBAL ID：200903080336173620
高周波用半導体装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996169534
Publication number (International publication number)：1998022415
Application date： Jun. 28, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】マイクロ波からミリ波帯域でも使用可能で信号の反射損、放射損等による特性劣化が小さい高周波用半導体装置、ならびにフィルターを内蔵した小型化が可能な高周波用半導体装置を提供する。【解決手段】複数の誘電体層2A,2B,2Cを積層してなる絶縁基板2と、蓋体3により形成されるキャビティ4内部に半導体素子5が搭載され、キャビティ4内部の絶縁基板2の表面と底面に高周波用伝送線路6、7を有するとともに、基板2内にフィルター回路8を備え、伝送線路6と伝送線路7とがフィルター回路8を介して電磁結合された半導体装置であって、高周波用伝送線路6、7はいずれも低誘電率誘電体層2A,2C表面に、フィルター回路8は、高誘電率誘電体層2B間に配設されたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
複数の誘電体層を積層してなる絶縁基板と、蓋体により形成されるキャビティ内部に半導体素子が搭載され、前記キャビティ内部の前記絶縁基板の表面に、前記半導体素子と電気的に接続された第1の高周波用伝送線路と、前記絶縁基板の底面に形成された第2の高周波用伝送線路と、絶縁基板内に特定周波数の信号のみを通過させるためのフィルター回路を備え、前記第1の高周波用伝送線路と前記第2の高周波伝送線路とが前記フィルター回路を介して電磁結合された半導体装置であって、前記第1および第2の高周波用伝送線路は、低誘電率誘電体層表面に形成され、前記フィルター回路は、高誘電率誘電体層間に配設されたことを特徴とする高周波用半導体装置。
IPC (3)：
H01L 23/12 301
, H01L 23/04
, H01P 1/203
H01L 23/12 301 L
, H01L 23/04 F
, H01P 1/203
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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