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J-GLOBAL ID：200903080383668424
窒化ガリウムの結晶成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996065644
Publication number (International publication number)：1997255496
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Sep. 30, 1997
Summary：
【要約】【目的】 GaAs基板上に表面の平坦なGaN層を結晶成長させ得るようにして、導電性がありかつ劈開が可能な基板上に良質なGaN層を形成しうるようにする。【構成】 GaAs基板101に対し、V族元素を含む原料を供給することなく600〜700°Cで熱処理を行って基板表面にGa過剰面104を形成する。窒素(キャリアガス)、塩化ガリウム、アンモニアを供給し、始めに低温でGaN低温成長バッファ層105を、次いで高温でGaN高温成長層106を形成する。
Claim (excerpt)：
(1)砒化ガリウム基板を成長炉にロードし、砒素を含むV族原料を供給することなく600°C以上700°C以下に加熱する工程と、(2)キャリアガスとともにガリウムを含む原料と窒素を含む原料とを供給して砒化ガリウム基板上に窒化ガリウム層を結晶成長させる工程と、を含むことを特徴とする窒化ガリウムの結晶成長方法。
IPC (4)：
C30B 29/38
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
C30B 29/38 D
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
