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J-GLOBAL ID：200903024427844864
化合物半導体単結晶の製造方法、該化合物半導体の単結晶および単結晶基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994063238
Publication number (International publication number)：1995273048
Application date： Mar. 31, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 III-V族の窒素系化合物単結晶であって、厚み方向に分割して使用しえるほど肉厚のものを製造しえる化合物半導体単結晶の製造方法、500μm以上の厚みを有する化合物半導体の単結晶および該単結晶を使用する単結晶基板の製造方法を提供すること。【構成】 基板上にバッファ層を形成し該バッファ層上に気相エピタキシャル成長法によって III族典型元素と窒素との化合物半導体の単結晶を成長させる該化合物半導体単結晶の製造方法であって、原料ガスを該 III族典型元素の塩化物とNH3 とし、結晶成長温度を1000°C〜1200°Cとし、結晶成長時間を5時間以上とすることによる化合物半導体単結晶の製造方法。上記方法にて得ることのできる結晶成長方向に500μm以上の厚みを有する III族典型元素と窒素との化合物半導体の単結晶。該 III族典型元素と窒素との化合物半導体の単結晶を結晶成長方向に対向して分割することによる単結晶基板の製造方法。
Claim (excerpt)：
基板上にバッファ層を形成し該バッファ層上に気相エピタキシャル成長法によって III族典型元素と窒素との化合物半導体の単結晶を成長させる該化合物半導体単結晶の製造方法であって、原料ガスを該 III族典型元素の塩化物とNH3 とし、結晶成長温度を1000°C〜1200°Cとし、結晶成長時間を5時間以上とすることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C30B 25/18
, C30B 29/38
Cited by examiner (7)
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