プラズマ処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：金本哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996142188
Publication number (International publication number)：1997055374
Application date： May. 13, 1996
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】プラズマ雰囲気の下で、被処理基板に対してプラズマ処理する際、プラズマの拡散を効果的に抑制して高真空度、高プラズマ密度での高微細処理を可能とし、同時にプラズマによる処理容器内側壁のスパッタを防止する。【解決手段】下部電極となるサセプタ6の周囲に下側絶縁体13を設け、上部電極21の周囲には上側絶縁体13を設ける。上側絶縁体31の外方端部31aは下側絶縁体13の外側に位置させると共に、ウエハWの上面よりも低い位置に位置させる。下側絶縁体13と上側絶縁体31との間の最も狭い間隔Lは、電極間のギャップGよりも狭くする。電極間に発生したプラズマの拡散が抑制され、そのまま側方に拡散することはないので、処理容器3内側壁がスパッタされない。

Claim (excerpt)：

減圧自在な処理室内に上部電極と下部電極を対向して有し、高周波電力の供給によって前記上部電極と下部電極との間にプラズマを発生させ、前記下部電極上の被処理基板に対して処理を施す如く構成された処理装置において、前記上部電極及び下部電極の双方に高周波電力が供給され、前記上部電極の周囲には上側絶縁体が設けられ、前記上側絶縁体の外方下端部は前記下部電極の外周よりも外側に位置するように設定されると共に、この上側絶縁体の外方下端部は、前記被処理基板の上面とほぼ同一かそれよりも下方に位置するように設定され、前記上側絶縁体と下部電極との間の最も狭い間隔が、前記上部電極と下部電極との間の間隔よりも狭く設定されたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 C , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-023429
特開昭62-125626
特開昭56-010932

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