スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤吉一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998198565
Publication number (International publication number)：2000034562
Application date： Jul. 14, 1998
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】配線抵抗が小さく、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化性に優れ、さらには膜組成均質性と膜厚均質性に優れた配線膜を形成することが可能であるような高純度銅合金スパッタリングターゲットと薄膜形成装置部品を提供する。【解決手段】 Na及びK含有量がそれぞれ0.5ppm以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca含有量がそれぞれ2ppm以下、酸素含有量が5ppm以下、U及びTh含有量がそれぞれ1ppb以下、Mg含有量が0.02〜4wt%でガス成分とMgを除いた残余部分の銅の含有量が99.99%以上であることを特徴とする高純度銅合金を用いてスパッタリングターゲットまたは薄膜形成装置用部品を作製する。

Claim (excerpt)：

Na及びK含有量がそれぞれ0.5ppm以下、Fe,Ni,Cr,Al,Ca含有量がそれぞれ2ppm以下、酸素含有量が5ppm以下、U及びTh含有量がそれぞれ1ppb以下、Mg含有量が0.02〜4wt%でガス成分とMgを除いた残余部分の銅の含有量が99.99%以上であることを特徴とする高純度銅合金スパッタリングターゲット。

IPC (3)：

C23C 14/34 , C22C 9/00 , H01L 21/285

FI (3)：

C23C 14/34 A , C22C 9/00 , H01L 21/285 S

F-Term (7)：

4K029BA08 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029DC03 , 4M104BB04 , 4M104DD40 , 4M104HH01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-111834
スパッタリングターゲット及びその製造方法ならびに半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-216350 Applicant：同和鉱業株式会社
特開平1-104769

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