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J-GLOBAL ID：200903080434508575

ウェーハの加工方法

Inventor： 長谷川 文彦 ,  黒田 泰嘉 ,  山田 正幸
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 落合 稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995239279
Publication number (International publication number)：1997057586
Application date： Aug. 24, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体デバイスの高集積化に対応でき、しかも、面取り部の研磨を迅速に行うことができる半導体ウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】 インゴットをスライスして得られたウェーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラッピングを行った後エッチングを行い、次いで、前記ウェーハの外周面取り部を所定量研削し、次いで、前記外周面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する軟研削を施し、その後に、ウェーハの前記外周面取り部の全体および表裏面の研磨を行うようにしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

インゴットをスライスして得られたウェーハの外周を研削によって面取りし、前記ウェーハのラッピングを行った後エッチングを行い、次いで、前記ウェーハの外周面取り部を所定量研削し、次いで、前記外周面取り部の全体を砥石に所定荷重を加えて加工する軟研削を施し、その後に、ウェーハの前記外周面取り部の全体および表裏面の研磨を行うようにしたことを特徴とするウェーハの加工方法。

IPC (2)：

B24B 1/00 ,  B24B 9/00

FI (2)：

B24B 1/00 A ,  B24B 9/00 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体ウエーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-185592   Applicant：株式会社東芝