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J-GLOBAL ID：200903080510645269

Si発光装置およびその作製方法

Inventor： 西田 彰男 ,  中川 清和 ,  大嶋 卓 ,  嶋田 寿一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992138333
Publication number (International publication number)：1993335624
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多孔質Siの発光波長を容易に制御し、複数の発光波長をもつ発光素子を同一基板面内への形成を実現する。【構成】 あらかじめフォトリソグラフィー、イオン注入技術などの従来技術を用い、Si基板面内に不純物添加領域を形成しその領域の比抵抗を変え、その基板を陽極化成することによって多孔質度を変えて波長制御された多孔質Si発光領域を得る。【効果】 本発明の方法を用いることによって、Si基板面内に波長を制御された発光領域の形成が容易になり、さらにSi基板面内に波長制御された複数の発光領域の形成を容易になる。

Claim (excerpt)：

Si基板面内の特定領域に制御して不純物を添加し、Si基板表面層の比抵抗を変えることにより、陽極化成反応で形成した多孔質Si層の多孔質度を変えて複数の発光領域を形成したことを特長とするSi発光装置。