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J-GLOBAL ID：200903080521850891

高電圧デバイス及びその製造方法

Inventor：
サットウィンダー マルヒ

About サットウィンダー マルヒ


Applicant, Patent owner：
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド

About テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド


Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994022856
Publication number (International publication number)：1995106573
Application date： Feb. 21, 1994
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 MOS入力特性を有し、入力容量を減少させた高電圧デバイス及びその製造方法を提供する。【構成】 (a)第1の基板122、第1のソース136、第1のドレイン電極120、及び第1のゲ-ト142を有する低電圧MOSトランジスタ12と、(b)第2の基板32、第2のソース38、第2のドレイン電極30、及び第2のゲ-ト44を有する高電圧トランジスタ14であって、前記低電圧MOSトランジスタのブレークダウン電圧が前記高電圧トランジスタのデプレーションしきい値電圧より高くなるように、前記第1のソースを前記第2のゲ-トに接続し、かつ前記第1のドレインを前記第2のソースに接続した高電圧トランジスタとを備える。
Claim (excerpt)：
MOS入力特性を有する高電圧デバイスにおいて、(a)第1の基板、第1のソース、第1のドレイン、及び第1のゲ-トを有する低電圧MOSトランジスタと、(b)第2の基板、第2のソース、第2のドレイン、及び第2のゲ-トを有する高電圧トランジスタとを備え、前記低電圧MOSトランジスタのブレークダウン電圧が前記高電圧トランジスタのデプレーションしきい値電圧より高くなるように、前記第1のソースを前記第2のゲ-トに接続し、かつ前記第1のドレインを前記第2のソースに接続したことを特徴とする高電圧デバイス。リウムを備えていることを特徴とする高電圧デバイス。
IPC (3)：
H01L 29/78 ,  H03K 17/10 ,  H03K 17/687
FI (3)：
H01L 29/78 321 B ,  H01L 29/78 321 X ,  H03K 17/687 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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