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J-GLOBAL ID:200903080535095972
回路基板
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
野河 信太郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997217681
Publication number (International publication number):1999068321
Application date: Aug. 12, 1997
Publication date: Mar. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】 配線層の高密度化を課題とする。【解決手段】 基材に樹脂を含浸及び硬化して形成される第1絶縁層2と第1配線層1とが交互に積層されたプリント配線板Aと、プリント配線板Aの表面に露出する第1配線層1上に第2絶縁層4と第2配線層5とが交互に積層された多層回路Bとからなり、第1絶縁層2を形成する樹脂が、180〜350°Cの硬化温度を有するポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂の前駆体を硬化することにより得られ、第2絶縁層4を形成する樹脂が、180〜350°Cの硬化温度を有するポリイミド樹脂の前駆体を硬化することにより得られることを特徴とする回路基板により上記課題を解決する。
Claim (excerpt):
基材に樹脂を含浸及び硬化して形成される第1絶縁層と第1配線層とが交互に積層されたプリント配線板と、プリント配線板の表面に露出する第1配線層上に第2絶縁層と第2配線層とが交互に積層された多層回路とからなり、第1絶縁層を形成する樹脂が、180〜350°Cの硬化温度を有するポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂の前駆体を硬化することにより得られ、第2絶縁層を形成する樹脂が、180〜350°Cの硬化温度を有するポリイミド樹脂の前駆体を硬化することにより得られることを特徴とする回路基板。
IPC (3):
H05K 3/46
, H05K 3/24
, H01L 23/12
FI (6):
H05K 3/46 T
, H05K 3/46 G
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 Q
, H05K 3/24 Z
, H01L 23/12 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開平3-263109
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特開昭54-094668
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特開平2-296392
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特開平3-276655
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多層回路基板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-291297
Applicant:京セラ株式会社
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特開平4-018450
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