二次元的ブラッグ格子を用いた高出力単一モード半導体レーザおよび光増幅器

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000033658
Publication number (International publication number)：2000236137
Application date： Feb. 10, 2000
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】ファセットの領域を増大させるとともに、半導体レーザからの出力を単一モードに維持する。【解決手段】半導体レーザ媒体(16)の内部に埋め込まれた二次元的光波長ブラッグ格子(20)を有する導波路(10)が提供される。より詳細には、導波路(10)は、n型ドーピングされたクラッディング層(14)およびp型ドーピングされたクラッディング層(22)の間に挟まれた活性領域(16)を含む。二次元的なブラッグ格子(20)が活性領域(16)内部に形成される。上側電極(24)および下側電極(26)がクラッディング層(14、22)の両側に形成されて導波路構造(10)を完成する。二次元的な格子(20)により、縦方向および横方向の双方におけるモード制御のために、同時に周波数の選択的フィードバックが可能となる。

Claim (excerpt)：

活性領域と、前記活性領域の一方側に形成されたpドープされた層と、前記活性領域の他方側に形成されたnドープされた層と、前記活性領域と前記pドープされた層および前記nドープされた層の少なくとも1つの層との間に形成された二次元的な格子構造と、を備えた導波路。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平2-143581
特開平4-167484
レーザー素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-235041 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (6)

特開平2-143581
特開平4-167484
レーザー素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-235041 Applicant：株式会社東芝

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