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J-GLOBAL ID：200903080557775594

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 清水 暁 ,  新井 範久 ,  竹内 祐司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001101541
Publication number (International publication number)：2002299475
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 トランジスタの微細化及び高速動作が可能で、且つ高耐圧な半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上部に所定の間隔をおいて配置された第1導電型のソース/ドレイン領域と、ソース/ドレイン領域の間に配置された第2導電型のチャネル領域と、チャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続された、第1導電型不純物が添加された多結晶シリコンからなるコンタクトプラグと、ソース/ドレイン領域内のコンタクトプラグが接続される部分にそれぞれ配置された第1導電型の高濃度領域とを少なくとも有する。チャネル領域の第2導電型不純物濃度が、ソース領域及びドレイン領域内のコンタクトプラグが接続される部分の第2導電型不純物濃度よりも高い。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上部に所定の間隔をおいて配置された第1導電型のソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に配置された第2導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域にそれぞれ接続された、第1導電型不純物が添加された多結晶シリコンからなるコンタクトプラグと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域内の当該コンタクトプラグが接続される部分にそれぞれ配置された第1導電型の高濃度領域とを有し、前記チャネル領域の第2導電型不純物濃度が、前記ソース領域及び前記ドレイン領域内の前記コンタクトプラグが接続される部分の第2導電型不純物濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (10)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (9)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 371

F-Term (65)：

5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F083EP23 ,  5F083EP48 ,  5F083EP76 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA28 ,  5F083LA29 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA07 ,  5F101BA07 ,  5F101BA29 ,  5F101BB05 ,  5F101BD14 ,  5F101BD34 ,  5F101BD36 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BB13 ,  5F140BC02 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF32 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BH17 ,  5F140BH19 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK16 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK30 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-108973   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-189968   Applicant：シャープ株式会社