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J-GLOBAL ID:200903080606588860
シリコン系構造体とその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004081330
Publication number (International publication number):2005262412
Application date: Mar. 19, 2004
Publication date: Sep. 29, 2005
Summary:
【課題】 シリコン系構造体を損傷させることなく、その表面に形成されている有機ケイ素化合物を主成分とするコーティング材の一部を除去すること。【解決手段】 変位部を備えるシリコン系構造体の製造方法であって、製造途中のシリコン系構造体の表面に有機ケイ素化合物(例えば、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロオクチルトリクロロシランなど)を主成分とするコーティング材をコーティングする工程を備えている。そのシリコン系構造体の所定領域内のコーティング材に紫外線を照射する工程を備えている。コーティング材が除去されたシリコン系構造体に対して真空封止キャップ100と金ワイヤ200、202を接合する工程を備えている。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
変位部を備えるシリコン系構造体の製造方法であって、
製造途中のシリコン系構造体の表面に有機ケイ素化合物を主成分とするコーティング材をコーティングする工程と、
そのシリコン系構造体の所定領域内のコーティング材を選択的に除去する工程と、
コーティング材が除去されたシリコン系構造体に対して他部材を接合する工程と、
を備えていることを特徴とするシリコン系構造体の製造方法。
IPC (4):
B81C1/00
, B81B3/00
, H01L21/3065
, H01L29/84
FI (4):
B81C1/00
, B81B3/00
, H01L29/84 Z
, H01L21/302 104H
F-Term (17):
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA23
, 4M112CA31
, 4M112CA33
, 4M112DA15
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA07
, 4M112EA11
, 4M112FA20
, 5F004BB05
, 5F004DA26
, 5F004DA27
, 5F004DB24
, 5F004EB08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
被処理構造体の表面処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-103798
Applicant:株式会社豊田中央研究所
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