半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997365055
Publication number (International publication number)：1999186551
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】耐熱性を高め、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】画素TFT102、103上を覆う第1の層間絶縁膜104上にアモルファスカーボン膜105と遮光膜106との積層構造で構成されるパターンを形成する。この時、アモルファスカーボン膜105はヒートシンクとして機能し、遮光膜106はブラックマスクとして機能する。こうしてTFTの近接してヒートシンクを設けることで耐熱性を高めることができる。

Claim (excerpt)：

同一基板上に形成された複数のTFTでなる半導体回路を有する半導体装置であって、前記半導体回路の少なくとも一部は、当該半導体回路が形成された基板上に設けられた遮光膜で覆われ、前記遮光膜で遮光された領域内に選択的にアモルファスカーボン膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-052739 Applicant：株式会社東芝
薄膜状半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-285988 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及び光弁装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-222627 Applicant：セイコー電子工業株式会社

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