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J-GLOBAL ID：200903080621155023

ケミカルドライエッチング方法

Inventor： 佐藤 興一 ,  神保 定之 ,  吉田 幸正 ,  武藤 真 ,  田澤 靖志
Applicant, Patent owner： 芝浦メカトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999156422
Publication number (International publication number)：2000349071
Application date： Jun. 03, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 大気寿命及びGWPの短いエッチングガスを使用することにより、エッチング時の排出PFC量を削減し、地球温暖化への影響を少なくするケミカルドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 酸素、オクタフルオロシクロペンテン(C5 F8 )及び必要に応じて窒素を含む混合ガスを活性化した後、活性化したガスにより半導体基板9又は半導体基板上に形成された被膜のケミカルドライエッチング法をエッチング室5内で行う。大気寿命及びGWPの短いエッチングガスとしてC5 F8 を使用することにより、エッチング時の排出PFC量を削減し地球温暖化への影響を少なくすることができる。代替ガスとして用いられる大気寿命及びGWPの短いC5F8 はPFCガス削減を目的としたガス材料として期待されている。

Claim (excerpt)：

酸素及びオクタフルオロシクロペンテンを含む混合ガスを活性化する工程と、前記活性化されたガスを導入して半導体基板もしくはこの半導体基板上に形成された被膜をエッチングする工程とを具備したことを特徴とするケミカルドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/90

F-Term (29)：

5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BB14 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB10 ,  5F004DB26 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-120405   Applicant：芝浦メカトロニクス株式会社