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J-GLOBAL ID：200903077220249083

ドライエッチング方法

Inventor：
▲吉▼ 森 大 晃

About ▲吉▼ 森 大 晃


Applicant, Patent owner：
芝浦メカトロニクス株式会社

About 芝浦メカトロニクス株式会社


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999120405
Publication number (International publication number)：2000311887
Application date： Apr. 27, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】 CMP法を用いることなく、ドライエッチング処理によって接続用金属の埋め込み工程を完了することができるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 被処理物3の表面に、フッ素原子を含むガスと酸素ガスとを少なくとも含むプロセスガスを活性化して供給し、配線溝又は接続孔14の内部以外の部分のタングステン系金属膜13を、チタン系バリアメタル膜15に対して選択的にエッチングして除去する金属膜除去工程と、金属膜除去工程後の被処理物3の表面に、フッ素原子を含むガスと塩素原子を含むガスと酸素ガスとを少なくとも含むプロセスガスを活性化して供給し、金属膜除去工程後に残存するチタン系バリアメタル膜15を、配線溝又は接続孔14の内部に残存するタングステン系金属膜13に対して選択的にエッチングして除去するバリアメタル膜除去工程と、を備える。
Claim (excerpt)：
半導体基板上の層間絶縁膜に形成された配線溝又は接続孔の内部に接続用金属を形成するためのドライエッチング方法において、前記層間絶縁膜の上面及び前記配線溝又は接続孔の内面に形成されたチタン系バリアメタル膜と、このチタン系バリアメタル膜の上に形成されたタングステン系金属膜と、を有する被処理物の表面に、フッ素原子を含むガスと酸素ガスとを少なくとも含むプロセスガスを活性化して供給し、前記配線溝又は接続孔の内部以外の部分の前記タングステン系金属膜を、前記チタン系バリアメタル膜に対して選択的にエッチングして除去する金属膜除去工程と、前記金属膜除去工程後の前記被処理物の表面に、フッ素原子を含むガスと塩素原子を含むガスと酸素ガスとを少なくとも含むプロセスガスを活性化して供給し、前記金属膜除去工程後に残存する前記チタン系バリアメタル膜を、前記配線溝又は接続孔の内部に残存する前記タングステン系金属膜に対して選択的にエッチングして除去するバリアメタル膜除去工程と、を備えたことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768
FI (4)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 A
F-Term (51)：
4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  5F004AA02 ,  5F004AA05 ,  5F004AA11 ,  5F004BA03 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB17 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033WW06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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