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J-GLOBAL ID：200903080732681271

磁気抵抗効果素子及びそれを搭載した不揮発性磁気メモリ

Inventor： 早川 純 ,  大野 英男 ,  池田 正二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006181979
Publication number (International publication number)：2007059879
Application date： Jun. 30, 2006
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：

【課題】高速かつ消費電力が極めて小さい不揮発性メモリを提供する。【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子1は、CoとFeとBを含有する体心立方構造の強磁性膜304と、(100)配向した岩塩構造のMgO絶縁膜305と、強磁性膜306とを積層した構造を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜とを有するトンネル磁気抵抗効果素子において、 前記第一の強磁性膜はCoとFeとBを含有する体心立方構造の膜であり、 前記絶縁膜は(100)配向した岩塩構造のMgO膜であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 29/82

FI (8)：

H01L43/08 M ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/32 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z

F-Term (39)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ09 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5E049DB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC46 ,  5F092BE11 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092CA25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第5,695,864号明細書
  
• 記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-375089   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Dependence of Giant Tunnel Magnetoresistance of Sputtered CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junctions