記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：園田吉隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001375089
Publication number (International publication number)：2002305337
Application date： Dec. 07, 2001
Publication date： Oct. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】磁気スピン極性化装置の自由層において磁化の逆転を生じる臨界値を低減する。【解決手段】 3層積層磁気スピン極性化装置および当該装置を使用した装置に関する。本発明に基づく装置は、自由磁気層を含む3層積層構造(16)を有する。この3層積層構造は、非磁性で導電性の層(162)と当該非磁性で導電性の層によって分離された2つの磁性体層(161、163)から構成される。当該積層構造には解除磁界が含まれないので、臨界書き込み磁束密度が低下する。間に介在する層自体もまた3層積層構造(12)であっても良い。上記の装置は磁気記憶素子に適用することができる。

Claim (excerpt)：

「固定」層と称する、磁界の向きが固定された第1の磁性体層(12)と、「自由」層と称する、磁界の向きを変更することができる第2の磁性体層(16)と、固定層と自由層とを隔離する絶縁又は半絶縁層(14)と、前記層の内部に、層と直交方向に電子流を流す手段(22、24)と、当該電流を構成する電子のスピンを極性化する手段とを具備する電磁装置であって、少なくとも前記自由磁性体層(16)が1つの非磁性体からなる導電層(162)によって隔てられた、逆方向に磁化された2つの磁性体層(161、163)からなる第1の3層積層構造であることを特徴とする電磁装置。

IPC (6)：

H01L 43/08 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 27/105

FI (7)：

H01L 43/08 Z , G11C 11/14 A , G11C 11/14 Z , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 27/10 447

F-Term (5)：

5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA30 , 5F083FZ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

不揮発性ランダムアクセスメモリー装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-277687 Applicant：ソニー株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265663 Applicant：株式会社東芝
対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-019744 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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Cited by examiner (6)

不揮発性ランダムアクセスメモリー装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-277687 Applicant：ソニー株式会社
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対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-019744 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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