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J-GLOBAL ID：200903080743410393

光ディスク原盤及びその製造方法

Inventor： 升澤 正弘
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996122339
Publication number (International publication number)：1997288849
Application date： Apr. 18, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ピット中心部に盛り上がりを作ることなく、基盤上の第1のフォトレジストまでパターン形成を可能とする。【解決手段】 1は基盤、2は第1のフォトレジスト層、3は酸化膜からなる中間層、4は第2のフォトレジスト層で、酸化膜からなる中間層に電気抵抗の大きい絶縁膜であるSiO2やAl2O3を使用したときは、図中に点線5にて示すように、中心部分が盛り上がったピット形状になる。中間層に電気抵抗の小さい導電性膜であるIn2O3やITO(In2O395wt%-SnO25wt%)を使用したときは、中心部分が平らなピット形状になる。中間層の熱伝導率が大きいと熱が拡散するため、温度が上昇しにくくなり、中間層が変化せず、ピットの中心部分が盛り上がらないので、第1のフォトレジスト2までパターンを形成することができる。

Claim (excerpt)：

基盤上に第1のフォトレジスト層、酸化膜からなる中間層、第2のフォトレジスト層の順にそれぞれ300〜2000Å,30〜300Å、300〜2000Å積層した2層レジスト盤の製造方法において、集光ビームによる露光時の酸化膜からなる中間層の熱伝導率が40W/mK以上であり、集光ビームによる露光、第2のフォトレジスト層の現像、酸化膜からなる中間層のエッチング、第1のフォトレジスト層の現像により製造されることを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光ディスクの案内溝及びピット作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-306936   Applicant：富士通株式会社