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J-GLOBAL ID：200903080777304614

回路基板の配線形成方法

Inventor： 飯島 真也 ,  横内 貴志男
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997131163
Publication number (International publication number)：1998321991
Application date： May. 21, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 処理した基板に陰イオンが残留するのを防ぐことができ、そして廃液を出さない環境に配慮した回路基板の配線形成方法を提供する。【解決手段】 回路基板上に形成しようとする配線の材料となる金属を含む化合物21を超臨界状態の溶媒11に溶解して溶液22を作り、この溶液22に配線を形成すべき処理基板31を入れ、基板31表面に当該金属の膜を析出させて配線を形成する。一つの態様によれば、超臨界状態の溶媒に金属化合物を溶解した溶液22に電界を印加することにより、溶媒に溶解している金属を還元し、基板31表面に当該金属の膜を析出させる。

Claim (excerpt)：

回路基板上に形成しようとする配線の材料となる金属を含む化合物を超臨界状態の溶媒に溶解して溶液を作り、この溶液に配線を形成すべき処理基板を入れ、基板表面に当該金属の膜を析出させて配線を形成することを特徴とする回路基板の配線形成方法。

IPC (2)：

H05K 3/18 ,  C25D 7/00

FI (2)：

H05K 3/18 G ,  C25D 7/00 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-320089
  
• 金属溶液の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-219247   Applicant：株式会社荏原製作所
• 特開平4-017333