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J-GLOBAL ID：200903080851742432

プラズマCVD法およびプラズマCVD装置

Inventor： 吉田 隆 ,  清水 均
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993144105
Publication number (International publication number)：1995006953
Application date： Jun. 16, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】プラズマCVD装置の高周波電極の背面側で装置壁面との間に起こる放電を防止し、放電の不均一やパウダリングをなくする。【構成】平行平板電極と側壁によって成膜室を構成し、この成膜室と可とう性基板の送り出しロール、巻き取りロールを一つの真空室内に収容する。そうすれば、高周波電極の背面を1×10-3Torr以下の真空あるいは直接大気に接触させることができ、放電はおきない。

Claim (excerpt)：

互いに平行に対向する二つの平板電極の一方に高周波電圧を印加し、他方を接地して両電極間の反応室間内にプラズマを発生させ、反応ガスを分解して基板上に薄膜を堆積させるプラズマCVD法において、反応空間を平行平板電極と側壁とによって囲み、高周波電極の反反応空間側を1×10-3Torr以下の真空に接触させることを特徴とするプラズマCVD法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜光電変換素子の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-097429   Applicant：富士電機株式会社