磁気記録素子および磁気記録装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004272376
Publication number (International publication number)：2006086476
Application date： Sep. 17, 2004
Publication date： Mar. 30, 2006
Summary：

【課題】電流直接駆動による磁化反転の際の反転電流を低減させることができる磁気記録素子を提供する。【解決手段】磁気記録素子は、磁化方向が可変な層を有し、スピン偏極した電子を注入され、スピン偏極した電子の流れの向きに応じて磁化方向が変化し、磁化方向に応じた情報を記憶できる。磁気記録素子は、スピン分極した電子の作用により磁化方向が変化し、スピン分極率Pfを有する自由層FFを含む。固着層FPは、磁化方向が固定され、且つスピン分極率Pfより大きいスピン分極率Ppを有する。中間層Sは、固着層と自由層との間に設けられ、非磁性材料から実質的になる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

磁化方向が可変な層を有し、スピン偏極した電子を注入され、スピン偏極した電子の流れの向きに応じて前記磁化方向が変化し、前記磁化方向に応じた情報を記憶可能な磁気記録素子であって、スピン偏極した電子の作用により磁化方向が変化し、スピン分極率Pfを有する自由層と、磁化方向が固定され、且つ前記スピン分極率Pfより大きいスピン分極率Ppを有する固着層と、前記固着層と前記自由層との間に設けられ、非磁性材料から実質的になる中間層と、を具備することを特徴とする磁気記録素子。

IPC (5)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , G11C 11/15 , H01L 29/82 , H01L 43/08

FI (4)：

H01L27/10 447 , G11C11/15 112 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z

F-Term (3)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083PR04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-026931 Applicant：三菱電機株式会社, 猪俣浩一郎
スピン注入デバイス及びこれを用いた磁気装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-410966 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構

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