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J-GLOBAL ID:200903080932859750
絶縁基板を有する発光ダイオード
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 忠彦 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002156095
Publication number (International publication number):2003060236
Application date: May. 29, 2002
Publication date: Feb. 28, 2003
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、同一の材料から形成されるp形のオーミック電極とn形のオーミック電極を有するLEDを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明では、LEDは、絶縁基板、絶縁基板上に配置されるバッファ層、バッファ層上に配置され、第1の表面及び第2の表面を有するn+形コンタクト層、n+形コンタクト層の第1の表面上に配置されるn形クラッド層、n形クラッド層上に配置される発光層、発光層上に配置されるp形クラッド層、p形クラッド層上に配置されるp形コンタクト層、p形コンタクト層上に配置されるn+形逆方向トンネリング層、n+形逆方向トンネリング層上に配置されるp形の透明オーミック電極、及び、n+形コンタクト層の第2の表面に配置されるn形の透明オーミック電極を含む。p形の透明オーミック電極とn形の透明オーミック電極は同一の材料から形成される。
Claim (excerpt):
絶縁基板と、上記絶縁基板上に配置され、第1の表面及び第2の表面を含む半導体からなる多層と、上記第1の表面上に配置される第1の透明オーミック電極と、上記第2の表面上に配置される第2の透明オーミック電極とを含み、上記第1の表面と上記絶縁基板との間の距離は、上記第2の表面と上記絶縁基板との間の距離より大きく、上記第1の透明オーミック電極及び上記第2の透明オーミック電極は、同一の材料を含む発光ダイオード。
IPC (2):
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
FI (3):
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
, H01L 21/28 301 B
F-Term (18):
4M104AA04
, 4M104BB29
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104DD34
, 4M104DD63
, 4M104DD94
, 4M104FF03
, 4M104GG04
, 4M104HH20
, 5F041AA42
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA88
, 5F041CA98
, 5F041CA99
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-236482
Applicant:ローム株式会社
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半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-230006
Applicant:三菱電機株式会社
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