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J-GLOBAL ID：200903081002480951

スピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法及び該素子を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法

Inventor： 佐々木 徹郎 ,  伊藤 範之 ,  照沼 幸一
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 山本 恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999251479
Publication number (International publication number)：2001076323
Application date： Sep. 06, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 磁歪の制御が容易であり、生産安定性に優れたSVMR素子の製造方法及びこのSVMR素子を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 非磁性金属薄膜層と、非磁性金属薄膜層を挟んで積層された第1及び第2の強磁性薄膜層(フリー層及びピンド層)と、第2の強磁性薄膜層の非磁性金属薄膜層とは反対側の面上に積層された反強磁性薄膜層とを含むSVMR素子の製造方法であって、第1の強磁性薄膜層がNiFe層とCoFe層との2層構造からなり、第1の強磁性薄膜層、非磁性金属薄膜層、第2の強磁性薄膜層及び反強磁性薄膜層を積層した後、NiFe層の膜厚変化に依存する磁歪の変化が小さくなるように熱処理を行う。

Claim (excerpt)：

非磁性金属薄膜層と、該非磁性金属薄膜層を挟んで積層された第1及び第2の強磁性薄膜層と、該第2の強磁性薄膜層の前記非磁性金属薄膜層とは反対側の面上に積層された反強磁性薄膜層とを含むスピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記第1の強磁性薄膜層がNiFe層とCoFe層との2層構造からなり、前記第1の強磁性薄膜層、前記非磁性金属薄膜層、前記第2の強磁性薄膜層及び前記反強磁性薄膜層を積層した後、前記NiFe層の膜厚変化に依存する磁歪の変化が小さくなるように熱処理を行うことを特徴とするスピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法。

F-Term (3)：

5D034BA04 ,  5D034BA21 ,  5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• スピンバルブ型薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-220608   Applicant：アルプス電気株式会社