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J-GLOBAL ID：200903081017931925

酸化物電極薄膜

Inventor：
樋口 天光

About 樋口 天光

, 
岩下 節也

About 岩下 節也

, 
宮澤 弘

About 宮澤 弘


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999304036
Publication number (International publication number)：2001122698
Application date： Oct. 26, 1999
Publication date： May. 08, 2001
Summary：
【要約】【課題】 PZTなどを用いた強誘電体キャパシタ型メモリにおいて、残留分極特性を向上させるためには、(100)シリコン基板上にペロブスカイト構造を有する強誘電体および酸化物下電極を(100)あるいは(001)方向にエピタキシャル成長させる必要があるが、従来、(100)シリコン基板上あるいは(100)フルオライト構造バッファ層上に、ペロブスカイト酸化物を(100)あるいは(001)配向させることは不可能であった。【解決手段】 (100)シリコン基板1上、あるいは(100)フルオライト構造バッファ層2上に、ぺロブスカイト構造の一部であるMO層からなるNaCl構造のMO層3(M=Ca、Sr、Ba)を(100)方向でエピタキシャル成長させ、その後、SrRuO3などのぺロブスカイト酸化物電極薄膜4、強誘電体層5、酸化物電極薄膜6を堆積することにより、(100)あるいは(001)配向の強誘電体キャパシタを実現する。
Claim (excerpt)：
(100)シリコン基板と、前記シリコン基板上に少なくともNaCl構造の(100)配向した金属酸化物MO(M=Ca、Sr、Ba)を含むバッファ層と、前記バッファ層上にペロブスカイト構造の擬立方晶で(100)配向に相当する金属酸化物層ABO3とを有することを特徴とする酸化物電極薄膜。
IPC (8)：
C30B 29/24 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5)：
C30B 29/24 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
F-Term (21)：
4G077AA07 ,  4G077AB02 ,  4G077BB10 ,  4G077BC11 ,  4G077DA11 ,  4G077EF03 ,  4G077HA05 ,  4G077SB01 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104DD33 ,  4M104EE02 ,  4M104GG16 ,  5F001AA17 ,  5F001AG17 ,  5F083FR00 ,  5F083JA15 ,  5F083JA45 ,  5F083PR22 ,  5F101BA62 ,  5F101BH30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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