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J-GLOBAL ID：200903081029853369

半導体レーザ

Inventor： 加藤 久弥 ,  久野 裕也 ,  冨田 一義 ,  加納 浩之
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993288464
Publication number (International publication number)：1995142810
Application date： Nov. 17, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高温作動時において活性層内の電子がpクラッド層内にオーバフローすることを抑制するとともに、発光強度分布の対称性を保つことができる半導体レーザを提供することにある。【構成】 n-GaAs基板1上に、n-AlGaAsクラッド層2、多重量子障壁活性層5、p-AlGaAsクラッド層6、p+ -GaAsコンタクト層7が順に積層されている。多重量子障壁活性層5は、i-GaAs活性層3と多重量子障壁層4とi-GaAs活性層3との積層構造からなる。この多重量子障壁層4は、i-AlGaAs障壁層4aとi-GaAs井戸層4bがこの順に交互に合計7層積層されたものである。i-AlGaAs障壁層4aはi-GaAs活性層3よりバンドギャップが大きく、i-GaAs井戸層4bは障壁層4aよりバンドギャップが小さい。

Claim (excerpt)：

活性層の上下が、異なる導電型の混晶層よりなるクラッド層で挟まれた半導体レーザにおいて、前記活性層内に量子障壁層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-219938   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-350988
  
• 特開平3-041791
  
• 歪多重量子井戸構造体およびそれを用いた半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-182575   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-350988
  
• 特開平3-041791