可視光応答性の半導体素子および光電極、並びにそれを用いた光エネルギー変換システム

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：飯田敏三 , 佐々木渉 , 宮前尚祐
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007061037
Publication number (International publication number)：2007273463
Application date： Mar. 09, 2007
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】p型特性であるカソード光電流またはn型特性であるアノード光電流の応答を高効率で示しかつ安定な新規半導体の一群を用いた高性能な光応答性の半導体素子を提供する。【解決手段】銅を含み、さらにビスマス、ニッケル、ケイ素、チタン、イットリウム、アルカリ土類金属、及びランタノイドからなる群から選択される少なくとも1つの元素Mを含む複合酸化物半導体の多孔質薄膜が導電性基板上に形成されている半導体素子であって、カソード光電流および/またはアノード光電流を示す可視光応答性の半導体素子。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

銅を含み、さらにビスマス、ニッケル、ケイ素、チタン、イットリウム、アルカリ土類金属、及びランタノイドからなる群から選択される少なくとも1つの元素Mを含む複合酸化物半導体の多孔質薄膜が導電性基板上に形成されている半導体素子であって、カソード光電流および/またはアノード光電流を示すことを特徴とする可視光応答性の半導体素子。

IPC (15)：

H01M 14/00 , H01L 31/04 , B01J 35/02 , B01J 23/84 , B01J 23/755 , B01J 23/72 , B01J 23/76 , B01J 23/75 , B01J 23/78 , C01G 29/00 , C01G 53/00 , C01G 3/00 , C01G 23/00 , C01B 33/12 , C01G 51/00

FI (15)：

H01M14/00 P , H01L31/04 Z , B01J35/02 J , B01J23/84 M , B01J23/74 321M , B01J23/72 M , B01J23/76 M , B01J23/74 311M , B01J23/78 M , C01G29/00 , C01G53/00 A , C01G3/00 , C01G23/00 C , C01B33/12 A , C01G51/00 A

F-Term (63)：

4G047CA05 , 4G047CB05 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4G048AA05 , 4G048AB02 , 4G048AB06 , 4G048AC08 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 4G048AE07 , 4G072AA38 , 4G072BB09 , 4G072RR12 , 4G072UU01 , 4G072UU15 , 4G169AA02 , 4G169AA08 , 4G169BB06A , 4G169BB06B , 4G169BC08A , 4G169BC09A , 4G169BC09B , 4G169BC10A , 4G169BC13A , 4G169BC13B , 4G169BC25A , 4G169BC25B , 4G169BC31A , 4G169BC31B , 4G169BC40A , 4G169BC40B , 4G169BC41A , 4G169BC42A , 4G169BC42B , 4G169BC50A , 4G169BC50B , 4G169BC68A , 4G169BC68B , 4G169BD05A , 4G169BD05B , 4G169CC33 , 4G169EA08 , 4G169EB15Y , 4G169FA01 , 4G169FA03 , 4G169FB23 , 4G169FB30 , 4G169FC08 , 4G169HA02 , 4G169HB06 , 4G169HD09 , 4G169HE09 , 5F051AA14 , 5F051BA05 , 5F051FA03 , 5F051FA06 , 5F051GA03 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032AS16 , 5H032EE02 , 5H032HH01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

可視光応答性の膜状多孔質半導体光電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-280421 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (1)

可視光応答性の膜状多孔質半導体光電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-280421 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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