可視光応答性の膜状多孔質半導体光電極

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池浦敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003280421
Publication number (International publication number)：2005044758
Application date： Jul. 25, 2003
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：

【課題】特定の半導体光電極と対極を組み合わせた光電気化学システムにおいて、該半導体の価電子準位を制御することで可視光応答性を持たせながら、伝導帯の準位が正に大きくなることを防ぎ、且つ多孔質構造の膜状半導体光電極を用いることで電荷の拡散距離を小さくし、太陽エネルギー変換効率を大きく向上させる技術を提供する。【解決手段】エネルギー蓄積型反応を行う光電気化学セルにおいて用いられる膜状半導体光電極であって、可視光応答性の多孔質構造の複合金属酸化物系半導体からなり、2種類以上の金属元素から構成され、その金属元素の少なくとも1つはビスマス、銀、銅、スズ、鉛、バナジウム、インジウム、プラセオジム、クロム及びニッケルの中から選ばれることを特徴とする膜状多孔質半導体光電極。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

エネルギー蓄積型反応を行う光電気化学セルにおいて用いられる膜状半導体光電極であって、可視光応答性の多孔質構造の複合金属酸化物系半導体からなり、2種類以上の金属元素から構成され、その金属元素の少なくとも1つはビスマス、銀、銅、スズ、鉛、バナジウム、インジウム、プラセオジム、クロム及びニッケルの中から選ばれることを特徴とする膜状多孔質半導体光電極。

IPC (2)：

H01M14/00 , H01L31/04

FI (2)：

H01M14/00 P , H01L31/04 Z

F-Term (8)：

5F051AA14 , 5F051FA02 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032AS16 , 5H032EE02 , 5H032HH01 , 5H032HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

WO0102624A1

Cited by examiner (9)

太陽電池及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-300567 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体、太陽電池及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-013103 Applicant：セイコーエプソン株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-289495 Applicant：住友大阪セメント株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

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