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J-GLOBAL ID：200903081053528185
ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995254398
Publication number (International publication number)：1996339716
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：
【要約】【目的】 不揮発性メモリーなどに用いられるビスマス層状強誘電体薄膜ABi2B2O9(ここでAはSrまたはBaを、BはNbまたはTaを表す)を化学気相成長法で形成する方法を提供する。【構成】 熱CVD装置において、AとBの原料として、A[B〔OCH(CH3)2〕6]2で表されるダブルイソプロポキシドを昇華させて導入し、Biの原料として、ビスマスターシャリブトキシドまたはビスマスターシャリペントキシドを昇華させて導入し、加熱した基板上で分解成長させ、次いで酸素を含む雰囲気で熱処理する。【効果】 本発明によれば、上記の原料を用いることにより、膜の組成、結晶構造の制御が容易になり、半導体装置製造において量産性の高い通常のCVD装置が使える効果がある。
Claim (excerpt)：
ABi2B2O9(ただし、式中A=Sr、 Ba、 B=Nb、Taのいずれかを表す)で表されるビスマス層状強誘電体の薄膜を気相成長法で製造する場合において、AとBの原料としてA[B〔OCH(CH3)2〕6]2で表されるダブルイソプロポキシドを用いることを特徴とするビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (13)：
H01B 3/00
, C01G 35/00
, H01G 4/33
, H01L 21/316
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01B 3/12 318
H01B 3/00 F
, C01G 35/00 C
, H01L 21/316 X
, H01L 27/10 451
, H01B 3/12 318
, H01G 4/06 102
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
