化学的気相成長法用原料とこれを用いて製造したビスマス層状化合物とその製法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995081442
Publication number (International publication number)：1996277197
Application date： Apr. 06, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】従来とは異なるCVDソース原料と、この原料を用いて製造した、書き換えによる劣化が少なく、清浄度の高い、強誘電性メモリ材料として適したビスマス層状化合物と、その製造方法とを提供する。【構成】単分子中にタンタルTaもしくはニオブNbと、アルカリ土類金属とを、2:1の原子比率で含有するアルコキシド原料よりなる化学的気相成長法用原料。

Claim (excerpt)：

単分子中にタンタルもしくはニオブとアルカリ土類金属とを2:1の原子比率で含有するアルコキシド原料よりなることを特徴とする化学的気相成長法用原料。

IPC (6)：

C30B 29/30 , C01G 33/00 , C01G 35/00 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/316

FI (8)：

C30B 29/30 A , C30B 29/30 B , C30B 29/30 C , C01G 33/00 A , C01G 35/00 C , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特公平2-051848
化学気相堆積装置及び化学気相堆積方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-092539 Applicant：株式会社村田製作所

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