表面平坦化法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊沢敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993117859
Publication number (International publication number)：1994310478
Application date： Apr. 21, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 CMP(化学機械研磨)処理を用いる表面平坦化法において、平坦性の下地パターン依存性を低減する。【構成】半導体基板10の表面を覆うフィールド絶縁膜12の上に配線層14a〜14cを介して層間絶縁膜16を形成した後、基板上面に回転塗布法によりSOG(スピン・オン・ガラス)等の塗布膜18を平坦状に形成する。絶縁膜16と塗布膜18とがほぼ等しい研磨速度になるようにして塗布膜18がなくなるまでCMP処理を行なうことにより絶縁膜16を平坦状に残存させる。

Claim (excerpt)：

基板上面に段差を覆って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を覆って平坦状に塗布膜を形成する工程と、前記絶縁膜と前記塗布膜とがほぼ等しい研磨速度になるようにして前記塗布膜がなくなるまで化学機械研磨処理を行なうことにより前記絶縁膜を平坦状に残存させる工程とを含む表面平坦化法。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開平4-033336
半導体集積回路の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-113613 Applicant：新日本製鐵株式会社

Cited by examiner (2)

特開平4-033336
半導体集積回路の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-113613 Applicant：新日本製鐵株式会社

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