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J-GLOBAL ID：200903081092842016

磁気抵抗ランダムアクセスメモリー装置

Inventor：
吉田 博

About 吉田 博

, 
佐藤 和則

About 佐藤 和則


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002177540
Publication number (International publication number)：2004022904
Application date： Jun. 18, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：
【課題】不揮発メモリーとしてのフラッシュメモリーは書き込み速度が遅く、書き換え回数に限界があり、しかも、電力消費量が多い。一方、強誘電体メモリー(FeRAM)は書き換え回数が1012回程度であり、10年間保証になってはいない。また、これらは高密度化が難しい。【構成】p型ハーフメタリック強磁性半導体とn型ハーフメタリック強磁性半導体により非磁性絶縁体原子層を少なくとも一層以上をはさむ構造の、p-i-n型低抵抗トンネル磁気抵抗効果(低抵抗TMR)ダイオードによる整流効果により、もしくは非磁性絶縁体原子層をはさまない構造のp-n型低抵抗トンネル磁気抵抗効果(低抵抗TMR)ダイオードによる整流効果により、MOSトランジスターを含まず、構造が簡単で、高集積化を可能にし、省エネルギーを可能にする磁性半導体を用いた新型磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)装置。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
p型ハーフメタリック強磁性半導体とn型ハーフメタリック強磁性半導体とで非磁性絶縁体原子層(i層)を少なくとも一層以上を挟んだ、p-i-n型低抵抗トンネル磁気抵抗効果(低抵抗TMR)ダイオードにより、整流効果を利用したスイッチ効果をTMR素子に持たせたことを特徴とする磁気抵抗ランダムアクセスメモリー装置。
IPC (5)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12
FI (6)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 S ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
F-Term (7)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083KA03 ,  5F083KA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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