磁気抵抗メモリ装置とその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998367145
Publication number (International publication number)：2000196030
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】磁気抵抗メモリ装置に於ける隣接する磁気抵抗素子間のリーク電流を低減し、情報の書き込みや読み出しの段階において誤りが生じる可能性が低減するような構造を有する。【解決手段】磁気抵抗メモリ装置において、強磁性体トンネル接合構造とダイオードが直列に接続されて構成されたメモリセルが複数個配置され、かつ、これらのメモリセル同士がお互いに電気的に絶縁分離されている。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上で一方向に沿って延在する複数の第1配線と、前記複数の第1配線上に配置された多数のメモリセルであって各メモリセルが互いに電気的に分離され、強磁性トンネル接合構造とダイオードとの直列接続を含む複数のメモリセルと、前記第1配線の表面および接続領域以外の前記メモリセルの表面を覆って形成された絶縁層と、前記複数のメモリセルに接続されて前記絶縁層上に配置され、前記一方向と交差する他方向に沿って延在する複数の第2配線とを有する磁気抵抗メモリ装置。

IPC (4)：

H01L 27/10 451 , G11C 11/15 , H01L 29/872 , H01L 43/08

FI (4)：

H01L 27/10 451 , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 29/48 M

F-Term (31)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD29 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104EE08 , 4M104GG03 , 4M104GG16 , 5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA06 , 5F083GA11 , 5F083GA15 , 5F083JA02 , 5F083JA32 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083PR04 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-344383
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-318732 Applicant：大見忠弘
磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-058777 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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