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J-GLOBAL ID:200903081147943712
磁性体磁器組成物およびそれを用いたインダクタ部品
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998043785
Publication number (International publication number):1999243006
Application date: Feb. 25, 1998
Publication date: Sep. 07, 1999
Summary:
【要約】【課題】低温焼結が可能であるともに、これを用いて得られたインダクタ部品の内部導体のマイグレーションを抑え、絶縁劣化および直流抵抗の増加を抑え得る、磁性体磁器組成物を提供する。【解決手段】磁性体磁器組成物は、フェライトを10〜99.5wt%と、ホウ素を含まずかつ軟化点が800°C以下のケイ酸塩ガラスを90〜0.5wt%含有する。好ましくは、ケイ酸塩ガラスの組成は、Ma2O(MaはLi、Na、K、RbおよびCsから選ばれた少なくとも1種)が1〜15モル%、MeO(Meは、Be、Ba、Sr、CaおよびMgから選ばれた少なくとも1種)が20〜70モル%、SiO2が5〜60モル%、Bi2O3が0.5〜70モル%である。
Claim (excerpt):
フェライトを10〜99.5wt%と、ホウ素を含まずかつ軟化点が800°C以下のケイ酸塩ガラスを90〜0.5wt%含有する、磁性体磁器組成物。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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チツプインダクタおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-213472
Applicant:松下電器産業株式会社
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