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J-GLOBAL ID：200903081163387935

高密度磁気データ記憶媒体の製造方法

Inventor：
ユンジェ・チェン

About ユンジェ・チェン

, 
ジァン-ピン・ウォン

About ジァン-ピン・ウォン


Applicant, Patent owner：
データ ストレ-ジ インスティテュート

About データ ストレ-ジ インスティテュート


Agent (1)： 古谷 栄男 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002063597
Publication number (International publication number)：2003151127
Application date： Mar. 08, 2002
Publication date： May. 23, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】高密度磁気データ記憶媒体の製造方法を提供する。【解決手段】(a)基板上に非磁性材料の複数のナノドット32を規則的な配列構造で形成するステップであって、前記配列構造は、概念的(notionally)に複数のナノドット32を有する複数のクラスターに分割可能であり、前記クラスターの各ナノドット32は、ウエル34を形成するため、当該クラスターの隣接するナノドット32と重複するステップと、(b)各クラスターのウエル34を部分的に満たすよう前記基板上に磁性材料を積層するステップと、(c)磁性材料で満たされたウエル34の規則的な配列構造を露出させるため、材料を除去するステップであって、前記各ウエル34は、非磁性材料により隣接するウエル34と分離されるステップ、を備えた高密度磁性データ記憶媒体の製造方法である。
Claim (excerpt)：
高密度磁気データ記憶媒体の製造方法であって、(a)基板上に非磁性材料の複数のナノドットを規則的な配列構造で形成するステップであって、前記配列構造は、概念的(notionally)に複数のナノドットを有する複数のクラスターに分割可能であり、前記クラスターの各ナノドットは、ウエルを形成するため、当該クラスターの隣接するナノドットと重複するステップと、(b)各クラスターのウエルを部分的に満たすよう前記基板上に磁性材料を積層するステップと、(c)磁性材料で満たされたウエルの規則的な配列構造を露出させるため、材料を除去するステップであって、前記各ウエルは、非磁性材料により隣接するウエルと分離されるステップ、を備えたこと、を特徴とするもの。
IPC (5)：
G11B 5/84 ,  G11B 5/65 ,  H01F 41/18 ,  H01F 41/20 ,  H01F 41/30
FI (5)：
G11B 5/84 Z ,  G11B 5/65 ,  H01F 41/18 ,  H01F 41/20 ,  H01F 41/30
F-Term (16)：
5D006BB07 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D006FA09 ,  5D112AA05 ,  5D112AA18 ,  5D112AA24 ,  5D112FA04 ,  5D112FB27 ,  5D112GA18 ,  5D112GA20 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5E049GC01 ,  5E049HC00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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