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J-GLOBAL ID：200903081165248061

接着型半導体基板および半導体発光素子並びにこれらの製造方法

Inventor：
古 川 和 由

About 古 川 和 由

, 
赤 池 康 彦

About 赤 池 康 彦


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000089754
Publication number (International publication number)：2001057441
Application date： Mar. 28, 2000
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 エピタキシャル成長層に直接かつ全面にわたって安定的に密着される接着型半導体基板および半導体発光素子並びにこれらの製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板12上に組成式In<SB>x</SB>(Ga<SB>1-y</SB>Al<SB>y</SB>)<SB>1-x</SB>Pで表される化合物半導体の混晶をエピタキシャル成長させ、N型クラッド層14(0.45<x<0.50,0≦y≦1)と活性層15とP型クラッド層16とカバー層17とを有するエピウェーハを形成する工程と、カバー層17をエッチングにて除去してP型クラッド層16の表面を露出させる工程と、P型クラッド層16の上に、鏡面加工されたGaP基板11を、被鏡面加工面がP型クラッド層16に接するように載置して室温にて一体的に接合させる工程と、熱処理をする工程と、GaAs基板12側からエッチング処理を行いN型クラッド層14を露出させる工程と、N型クラッド層14の表面とGaP基板11の裏面に電極19をそれぞれ形成する工程とを備える。
Claim (excerpt)：
第1の半導体基板上に形成された第1のエピタキシャル成長層と、少なくとも片面が鏡面加工され、この被鏡面加工面、もしくはこの被鏡面加工面上に成長した第2のエピタキシャル成長層で前記第1のエピタキシャル成長層に一体的に接合された第2の半導体基板と、を備え、前記第1のエピタキシャル成長層の熱膨張率は、前記第2の半導体基板の熱膨張率に近似する接着型半導体基板。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 33/00 B ,  H01L 21/205
F-Term (15)：
5F041AA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB11 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA62 ,  5F045HA16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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