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J-GLOBAL ID：200903081174773020

磁気素子とそれを用いた磁気センサおよび磁気記憶装置

Inventor： 斉藤 好昭 ,  猪俣 浩一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998185479
Publication number (International publication number)：2000020922
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 GMR膜を構成する強磁性層の軟磁気特性を向上させると共に、各種熱処理や使用時における温度上昇などに伴う磁気抵抗効果特性や感度の劣化を抑制する。【解決手段】 強磁性トンネル接合素子1、多重強磁性トンネル接合素子、スピンバルブ膜などのGMR膜を構成する強磁性層4に、それより酸化または窒化しやすい数原子層(1nm)以下程度の金属の酸化膜または窒化膜5を介して軟磁性層6を付与する。

Claim (excerpt)：

少なくとも 2層の強磁性層と、前記強磁性層間に介在され、かつ前記強磁性層間にトンネル電流を流し得る厚さを有する誘電体層とを具備する磁気素子において、前記強磁性層のうち少なくとも 1層には、前記強磁性層より酸化または窒化しやすい金属の酸化膜または窒化膜を介して軟磁性層が付与されていることを特徴とした磁気素子。

F-Term (3)：

5D034BA04 ,  5D034BA21 ,  5D034CA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-223277   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-111419   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-356711