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J-GLOBAL ID：200903095656176748

磁気抵抗効果素子

Inventor： 上口 裕三 ,  斉藤 明子 ,  斉藤 和浩 ,  福澤 英明 ,  岩崎 仁志 ,  佐橋 政司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997111419
Publication number (International publication number)：1998065232
Application date： Apr. 28, 1997
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 スピンバルブ膜を用いたMR素子において、高性能化に悪影響を与えることなく、熱拡散を抑制して熱安定性の向上を図る。【解決手段】 金属バッファ層4上に形成された第1の磁性層1と第2の磁性層との間に、非磁性中間層3を配置したスピンバルブ膜7を具備する磁気抵抗効果素子において、金属バッファ層4と第1の磁性層1との界面に、酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物、フッ化物等からなる平均厚さが 2nm以下の原子拡散バリヤ層5を設ける。あるいは、磁性下地層と強磁性体層との積層膜からなる第1の磁性層と第2の磁性層との間に、非磁性中間層を配置したスピンバルブ膜を具備する磁気抵抗効果素子において、磁性下地層と強磁性体層との界面に、酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物、フッ化物等からなる平均厚さが 2nm以下の原子拡散バリヤ層を設ける。

Claim (excerpt)：

金属バッファ層上に形成された第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と第2の磁性層との間に配置された非磁性中間層とを有するスピンバルブ膜を具備する磁気抵抗効果素子において、前記金属バッファ層と第1の磁性層との界面に、平均厚さが 2nm以下の原子拡散バリヤ層が設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗効果素子、磁気再生装置及び磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-080997   Applicant：富士通株式会社