光半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999217339
Publication number (International publication number)：2001044483
Application date： Jul. 30, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】光検出感度を向上しうる光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板16上に形成された第1のコンタクト層28と、第1のコンタクト層上に形成された第1の量子井戸層34と、第1の量子井戸層上に形成された第2のコンタクト層36と、第2のコンタクト層上に、ストライプ状に形成された光結合層44と、光結合層表面から第1のコンタクト層に達し、その上部がストライプ状にエッチングされた第1の導電性プラグ50と、光結合層の上面及び側面、並びに、ストライプ状にエッチングされた領域の第1の導電性プラグの上面及び側面に形成され、基板側から入射する光を反射する反射層64とを有している。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された第1のコンタクト層と、前記第1のコンタクト層上に形成された第1の量子井戸層と、前記第1の量子井戸層上に形成された第2のコンタクト層と、前記第2のコンタクト層上に、ストライプ状に形成された光結合層と、前記光結合層表面から前記第1のコンタクト層に達し、その上部がストライプ状にエッチングされた第1の導電性プラグと、前記光結合層の上面及び側面、並びに、ストライプ状にエッチングされた領域の前記第1の導電性プラグの上面及び側面に形成され、前記基板側から入射する光を反射する反射層とを有することを特徴とする光半導体装置。

F-Term (17)：

5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA01 , 5F049NB03 , 5F049PA04 , 5F049PA14 , 5F049QA06 , 5F049QA07 , 5F049QA16 , 5F049RA04 , 5F049SE05 , 5F049SE12 , 5F049SE16 , 5F049SS04 , 5F049SZ12 , 5F049WA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

光センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-314737 Applicant：富士通株式会社
増幅型固体撮像素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-116524 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-302472

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