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J-GLOBAL ID：200903081225791851
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995280034
Publication number (International publication number)：1997129646
Application date： Oct. 27, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 絶縁保護膜に開口されたコンタクトホールを通じて配線にバリア金属を介してCCB電極を接続する場合、配線とバリア金属間に加わる応力を緩和してバリア金属のクラックを防止することが可能な技術を提供する。【解決手段】 下層配線3にバリア金属6を介してCCB電極9を接続するために絶縁保護膜4に開口されるコンタクトホール5は、互いに分離された複数の小ホール5a乃至5dから構成されている。これにより、個々の小ホール5a乃至5dにおける下層配線3とバリア金属6との接触面積は小さくしたままで、コンタクトホール5の全体の接触面積を増加させることができる。従って、バリア金属6にCCB電極9を接続しても、各小ホール5a乃至5dを通じての両者間の接触面積は小さくなっているので、両者間に加わる応力は緩和される。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された配線を覆う絶縁保護膜にコンタクトホールが開口され、このコンタクトホールから前記絶縁保護膜の表面まで延長するようにバリア金属が形成され、このバリア金属にCCB電極が接続されてなる半導体装置であって、前記コンタクトホールは、互いに分離された複数の小ホールから構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/321
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
H01L 21/92 602 H
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 602 K
, H01L 21/92 602 Z
Cited by examiner (6)
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