半導体装置の突起電極構造およびその突起電極形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994029090
Publication number (International publication number)：1995221102
Application date： Jan. 31, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の突起電極構造において、突起電極の下地金属層とアルミ電極との間において、ストレスが内在しにくいような構造として、機械的に安定した良好な接合部が得られるようにする。【構成】基板1のアルミ電極3が露出するパッシベーション膜4の開口にアルミ電極3と接続する下地金属層5を設け、この下地金属層5の上に備えた突起電極6において、前記開口を2分割等の複数に分離された開口部4a,4bとして形成する。そして、この複数の開口部4a,4bに跨るようにして下地金属層5を形成して、この下地金属層5を複数の開口部4a,4bにそれぞれ露出したアルミ電極3にそれぞれ接続する。さらに、この下地金属層5の上に複数の開口部4a,4bに跨るようにして突起電極6を形成する。

Claim (excerpt)：

電極が露出する開口に電極と接続する下地金属層を設け、この下地金属層の上に突起電極を備えた半導体装置の突起電極構造であって、前記開口を複数に分離された開口部より構成して、この複数の開口部に跨って前記下地金属層を介して前記突起電極を形成してなることを特徴とする半導体装置の突起電極構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭57-002548
特開昭62-001249
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-164161 Applicant：三菱電機株式会社

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