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J-GLOBAL ID:200903081233190131

真空管用陰極

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996280893
Publication number (International publication number):1998125217
Application date: Oct. 23, 1996
Publication date: May. 15, 1998
Summary:
【要約】【課題】真空管用陰極における電子放出効率のさらなる向上を図る。【解決手段】真空管内でアノード電極と対向配設され、カソード電極61と、カソード電極61の表面に形成されアノード電極に向かって電子を放出する負の電子親和力をもつ電子放出体62とからなる真空管用陰極において、カソード電極61と電子放出体62との間には、カソード電極61を構成する成分と電子放出体62を構成する成分とからなる中間層63が形成されていることを特徴とする。中間層63の存在により、カソード電極61から電子放出体62へ電子が移行し易くなり、電子放出体62からの電子放出効率が向上する。
Claim (excerpt):
真空管内でアノード電極と対向配設され、カソード電極と、該カソード電極の表面に形成され該アノード電極に向かって電子を放出する負の電子親和力をもつ電子放出体とからなる真空管用陰極において、上記カソード電極と上記電子放出体との間には、上記カソード電極を構成する成分と上記電子放出体を構成する成分とからなる中間層が形成されていることを特徴とする真空管用陰極。
IPC (2):
H01J 1/30 ,  H01J 19/24
FI (2):
H01J 1/30 A ,  H01J 19/24
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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