カーボン系冷陰極の気相合成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996264978
Publication number (International publication number)：1998112257
Application date： Oct. 07, 1996
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：

【要約】【課題】核発生密度を上げるための機械的な傷付け処理を不要にし、さらに、バイアスを印加することなしに高速で(核発生密度が高い)ヘテロエピタキシャル成長した柱状カーボン系冷陰極を得ること。【解決手段】カーボン系冷陰極の気相合成法において、基板陰極表面に炭素イオン又は炭素クラスターイオンをイオン注入し、かくして形成される核発生サイトを核として柱状カーボン系冷陰極を気相合成する。

Claim (excerpt)：

カーボン系冷陰極の気相合成方法において、基板陰極表面に炭素イオン又は炭素クラスターイオンをイオン注入し、かくして形成される核発生サイトを核として柱状カーボン系冷陰極を気相合成することを特徴とするカーボン系冷陰極の気相合成方法。

IPC (2)：

H01J 9/02 , H01J 1/30

FI (2)：

H01J 9/02 B , H01J 1/30 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電子放出素子および電子放出素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-208044 Applicant：出光マテリアル株式会社
電界放出電子エミッタ及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-241326 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
電子放出素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042552 Applicant：松下電器産業株式会社

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