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J-GLOBAL ID:200903081252908981
面発光半導体レーザ装置
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996049909
Publication number (International publication number):1997246660
Application date: Mar. 07, 1996
Publication date: Sep. 19, 1997
Summary:
【要約】【課題】 光情報処理、非線形光学材料の励起等の光源として好適な、高出力動作可能な、単峰性の遠視野像を持つ面発光半導体レーザを提供する。【解決手段】 一導電型の半導体基板上に形成された一導電型の第一光ガイド層3、活性層4、円形の回折格子を備えた逆導電型の第二光ガイド層5が順次形成されるとともに、前記第二光ガイド層5上に、窓6aを有し、かつ前記活性層4より発振されるレーザ光に対して透明な一導電型の電流ブロック層6が形成され、前記窓6aに逆導電型の第三光ガイド層7が形成された構成である。
Claim (excerpt):
一導電型の半導体基板上に形成された一導電型の第一光ガイド層、活性層、円形の回折格子を備えた逆導電型の第二光ガイド層が順次形成されるとともに、前記第二光ガイド層上に窓を有し、かつ前記活性層より発振されるレーザ光に対して透明な一導電型の電流ブロック層が形成され、前記窓に逆導電型の第三光ガイド層が形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ装置。
IPC (2):
FI (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開昭63-150981
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特開昭58-051583
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特開昭63-116488
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特開平2-047885
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半導体レーザ素子及びその設計方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-062265
Applicant:三洋電機株式会社
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