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J-GLOBAL ID：200903081254718772

窒化インジウムガリウム半導体の成長方法

Inventor：
中村 修二

About 中村 修二

, 
向井 孝志

About 向井 孝志


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003331721
Publication number (International publication number)：2004048057
Application date： Sep. 24, 2003
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：
【目的】 高品質で結晶性に優れたInGaNの成長方法を提供する。 【構成】 本発明は、基板に原料ガスを供給するキャリアガスと、前記原料ガスを基板面に押圧する不活性ガスを用いて、窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法に関する。特に、前記基板上に窒化ガリウム層を成長させた後、前記キャリアガスと前記不活性ガスを共に窒素として、前記窒化ガリウム層の上に、600°Cより高い成長温度で、一般式InXGa1-XN(但し、Xは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
基板に原料ガスを供給するキャリアガスと、前記原料ガスを基板面に押圧する不活性ガスを用いて、窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法であって、 前記基板上に窒化ガリウム層を成長させた後、前記キャリアガスと前記不活性ガスを共に窒素として、前記窒化ガリウム層の上に、600°Cより高い成長温度で、一般式InXGa1-XN(但し、Xは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。
IPC (5)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (5)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
F-Term (56)：
4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077TB05 ,  4G077TC03 ,  4G077TC06 ,  4G077TG06 ,  4G077TG07 ,  4G077TH05 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045EE14 ,  5F045EE18 ,  5F073CA07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29 ,  5F073HA08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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