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J-GLOBAL ID：200903081294544327

レジストパターンの形成方法及びこの方法を用いた半導体装置の製造方法

Inventor： 福井 武司 ,  竹中 浩 ,  古川 秀利 ,  田中 毅 ,  上田 大助
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995249596
Publication number (International publication number)：1997092605
Application date： Sep. 27, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 レジストのオーバーハング形状を形成して、レジストのみによるリフトオフにより電極形成を可能とする。【解決手段】 半導体基板1上にアルカリ可溶性樹脂2とフォトレジスト3を順次塗布した後、上層のフォトレジスト3をi線4で露光する。その後、アルカリ水溶液でフォトレジスト3を現像すると同時にアルカリ可溶性樹脂2を前記アルカリ水溶液でエッチングすることにより、フォトレジスト3に開口部を形成すると共にアルカリ可溶性樹脂2に前記開口部よりも開口面積の広い開口部を形成して、オーバーハング形状を形成する。前記両開口部により開口した半導体基板1の表面をエッチングした後、金属膜5を真空蒸着し、その後、リフトオフして、電極6を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にアルカリ可溶性樹脂を塗布する工程と、前記アルカリ可溶性樹脂の上層にフォトレジストを塗布する工程と、前記フォトレジストにパターンを露光する工程と、アルカリ水溶液を用いて前記フォトレジストを現像すると同時に前記アルカリ可溶性樹脂をエッチングすることにより、前記フォトレジストに開口部を形成すると共に前記アルカリ可溶性樹脂に前記開口部よりも開口面積の広い開口部を形成して、オーバーハング形状を形成する工程とを備えたことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  C09D135/00 PFW ,  G03F 7/26 513 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/312

FI (6)：

H01L 21/30 576 ,  C09D135/00 PFW ,  G03F 7/26 513 ,  H01L 21/28 G ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/30 566

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-049359   Applicant：松下電子工業株式会社
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-049004   Applicant：株式会社日立製作所