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J-GLOBAL ID：200903081318122143

光電変換素子

Inventor： 韓 礼元 ,  山中 良亮
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002060669
Publication number (International publication number)：2003257508
Application date： Mar. 06, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 色素増感型光電変換素子は、多孔性半導体に色素を吸着させた光電変換層を備えている。その光電変換層にはトラップ準位が多いため、光により発生しキャリアは電極に到達する時間が長いため、光応答速度が低いという課題があった。【解決手段】 光電変換層に用いる多孔性半導体の材料の純度を高めるとともに、鉄イオンの混入を防ぐ製造工程を採用することにより、光電変換層のトラップ準位を減らすことができ、優れた光応答速度と光電変換効率を有する光電変換素子を提供することができる。

Claim (excerpt)：

導電性支持体と、多孔性半導体に色素を吸着させた光電変換層と、導電層と、対極とから構成され、多孔性半導体が、99.9%以上の純度の半導体材料からなることを特徴とする光電変換素子。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (12)：

5F051AA14 ,  5F051BA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CB13 ,  5F051FA03 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体電極およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-347683   Applicant：株式会社豊田中央研究所