Pat

J-GLOBAL ID：200903021985366562

半導体電極およびその製造方法

Inventor： 樋口 和夫 ,  元廣 友美 ,  竹田 康彦
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 高橋 祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999347683
Publication number (International publication number)：2000231943
Application date： Dec. 07, 1999
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体の比表面積を低下させることなく,容易に製造することができ,かつ,エネルギー変換効率に優れた,半導体電極およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 基板10と,基板10の表面に形成された柱状構造を有する半導体よりなる膜12とよりなる。

Claim (excerpt)：

基板と,該基板の表面に形成された柱状構造を有する半導体よりなる膜とよりなることを特徴とする半導体電極。

IPC (3)：

H01M 14/00 ,  C23C 14/24 ,  H01L 31/04

FI (3)：

H01M 14/00 P ,  C23C 14/24 R ,  H01L 31/04 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 斜め蒸着方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-304636   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 有機色素増感型酸化物半導体電極及びそれを含む太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-241523   Applicant：工業技術院長
• 特開昭63-132203