改善された光学的近接補正システム

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：合田潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996086393
Publication number (International publication number)：1996286358
Application date： Apr. 09, 1996
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【課題】フォトリソグラフィ及び反応性イオン・エッチング(RIE)のようなVLSIパターン転写操作において、マスクを事前に歪ませ、一方で重要なフィーチャのみ補正し、追加の頂点の生成を可能な限り除くことによって、その正確性を改善する。【解決手段】この光学的近接補正(OPC)方法は一連の縮小、拡大、及び減算の操作を用い、リソグラフィ・マスク又はレチクル用の複雑なコンピュータ支援設計(CAD)データを、基本的な四角の組合わせに分解する。より詳細には、このOPC方法は最初にCAD設計中で複数のゲート領域を識別する。CAD設計中の複数の設計形状は、幾何学的タイプに従ってソートされる。ソートされた複数の設計形状は、第2の設計形状と少くとも1つの辺を共有する。ソートされた設計形状は、その後幅を基準にグループ化される。最後にゲート領域として識別され、グループ化された設計形状のすべては、適用可能なOPC規則に従って補正される。

Claim (excerpt)：

VLSIパターン化操作における正確性を制御するための光学的近接補正方法であって、(a) チップ設計の原設計データ・セットを入力するステップと、(b) 前記入力設計データ・セットのレベルに一連の縮小、拡大、及び減算の操作を含む分解手順を施し、前記設計データ・セット中の複数の設計形状を幾何学的タイプに従ってソートするステップと、(c) 設計にとって重要な領域である設計データ・セットの関連する部分を捜し出し、識別するステップと、(d) 設計にとって重要な領域であると識別された部分の形状を変える光学的近接補正を適用するステップと、を含む方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (4)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 G , H01L 21/30 502 P , H01L 21/302 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

マスクデータ又はレチクルデータの生成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-062696 Applicant：ヒユーレツト・パツカード・カンパニー

Cited by examiner (1)

マスクデータ又はレチクルデータの生成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-062696 Applicant：ヒユーレツト・パツカード・カンパニー

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