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J-GLOBAL ID：200903081449121606

圧電セラミックス及びその製造方法

Inventor：
谷 俊彦

About 谷 俊彦

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竹内 嗣人

About 竹内 嗣人

, 
木村 敏夫

About 木村 敏夫


Applicant, Patent owner：
株式会社豊田中央研究所

About 株式会社豊田中央研究所


Agent (1)： 上野 登
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000075670
Publication number (International publication number)：2001261435
Application date： Mar. 17, 2000
Publication date： Sep. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 BNT又はこれを端成分とする圧電セラミックスにおいて、高い焼結体密度及び/又は高い{100}面配向度が安定して得られる圧電セラミックス及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係る圧電セラミックスは、x(Bi0.5Na0.5TiO3)-(1-x)ABO3(但し、0.1≦x≦1)で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、さらに化学量論比のBiより少なくとも0.1%過剰のBiが含まれていることを特徴とする。この場合、圧電セラミックスを構成する各結晶粒の擬立方{100}面が配向していることが望ましい。このような圧電セラミックスは、板状のBi4Ti3O12粉末を含む化学量論配合の原料に対し、少なくとも0.5%過剰のBiを含むBi含有原料を添加し、板状粉末が配向するように成形した後、所定の温度で熱処理することにより得られる。
Claim (excerpt)：
x(Bi0.5Na0.5TiO3)-(1-x)ABO3(但し、0.1≦x≦1)で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、さらに前記ペロブスカイト型化合物に含まれる化学量論比のBiより少なくとも0.1%過剰のBiが含まれている圧電セラミックス。
IPC (2)：
C04B 35/46 ,  H01L 41/187
FI (2)：
C04B 35/46 J ,  H01L 41/18 101 J
F-Term (14)：
4G031AA01 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA19 ,  4G031AA32 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA02 ,  4G031GA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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